KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
? 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
? 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
? 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
? 等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:型号eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度> 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属
电介质
半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离10-36” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:
? 离子辅助镀膜 IAD
? 预清洗 Load lock preclean
? 预清洗 In-situ preclean
? Direct Deposition
? Surface Modification
? Low-energy etching
? III-V Semiconductors
? Polymer Substrates
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上海伯东: 罗先生
