KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数型号KDC 40供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝1 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam? - 栅极专用, 自对准 -栅极直径4 cm中和器灯丝电源控制KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 - 架构移动或快速法兰 - 高度6.75' - 直径3.5' - 离子束集中
平行
散设 -加工材料金属
电介质
半导体 -工艺气体惰性
活性
混合 -安装距离6-18” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
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上海伯东: 罗先生
